Semiconductor laser device having inGaAs compressive-strain active layer, GaAsP tensile-strain barrier layers, and InGaP optical waveguide layers
文献类型：专利
| 作者 | FUKUNAGA, TOSHIAKI; OHGOH, TSUYOSHI |
| 发表日期 | 2002-09-05 |
| 专利号 | US20020122447A1 |
| 著作权人 | NICHIA CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor laser device having inGaAs compressive-strain active layer, GaAsP tensile-strain barrier layers, and InGaP optical waveguide layers |
| 英文摘要 | In a semiconductor-laser device: a compressive-strain quantum-well active layer is made of Inx3Ga x3As1-y3Py3 (0 |
| 公开日期 | 2002-09-05 |
| 申请日期 | 2001-12-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67882]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NICHIA CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | FUKUNAGA, TOSHIAKI,OHGOH, TSUYOSHI. Semiconductor laser device having inGaAs compressive-strain active layer, GaAsP tensile-strain barrier layers, and InGaP optical waveguide layers. US20020122447A1. 2002-09-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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