リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大櫃 義徳; 橋本 隆宏; 辻井 宏行; 喜根井 聡文; 大島 昇; 太田 将之; 兼岩 進治 |
| 发表日期 | 2006-03-30 |
| 专利号 | JP2006086218A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】水平横モードのファー·フィールド·パターンにピーク部分以外の激しい凹凸がなく、従って、安定なAPC駆動が可能で、しかも、製造コストの増大を抑制可能なリッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】少なくともN型クラッド層103、活性層104、P型クラッド層105、及び、リッジ部107が積層されて形成されると共に、該リッジ部107の側面及びP型クラッド層105の上面が、絶縁膜108で覆われたリッジ型半導体レーザ素子100を、上記絶縁膜108として、屈折率が上記P型クラッド層105の屈折率より小さく、且つ、該屈折率と、上記P型クラッド層105の屈折率との差が1以内である絶縁膜を用いて構成する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-03-30 |
| 申请日期 | 2004-09-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67886]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大櫃 義徳,橋本 隆宏,辻井 宏行,等. リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法. JP2006086218A. 2006-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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