半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 神川 剛; 石田 真也; 伊藤 茂稔 |
| 发表日期 | 2003-03-28 |
| 专利号 | JP2003092450A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 エイジング試験を行なった際、ファーフィールドパターンの変化を抑えることができるように改良された半導体発光装置を提供することを主要な目的とする。 【解決手段】 半導体発光素子チップは、窒化物系化合物半導体基板105とその上に設けられた窒化物系化合物半導体層106とを有する。サブマウント103の上に半導体発光素子チップがマウントされている。半導体発光素子チップのレーザ光出射端面が、サブマウント103の端面より、5μm≦L≦100μmの範囲で前方にずれるように、半導体発光素子チップがサブマウント103の上にマウントされている(式中、Lは、ずらした距離を表わしている)。 |
| 公开日期 | 2003-03-28 |
| 申请日期 | 2001-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67938]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川 剛,石田 真也,伊藤 茂稔. 半導体発光装置. JP2003092450A. 2003-03-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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