半导体发光器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 古嶋裕司; 今野哲也; 藤本强 |
| 发表日期 | 2008-05-14 |
| 专利号 | CN101179179A |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 提供一种能够精确检测解理位置的半导体发光器件。第二发光器件层叠在第一发光器件上。在与第一基板面对的第二基板的侧上形成的绝缘层上，第二发光器件具有分别与第一发光器件的各p侧电极相对布置且电连接到第一发光器件的p侧电极的带状对向电极、分别电连接到各对向电极的连接垫、电连接到p侧电极的连接垫、和布置有位于解理面S3或解理面S4的平面内的一个端部的标记。 |
| 公开日期 | 2008-05-14 |
| 申请日期 | 2007-11-12 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67955]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古嶋裕司,今野哲也,藤本强. 半导体发光器件及其制造方法. CN101179179A. 2008-05-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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