半導体装置及び半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松本 武; 関口 茂昭 |
| 发表日期 | 2018-08-23 |
| 专利号 | JP2018133425A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】強固な半田接合と良好な放熱性との両立を図ること。 【解決手段】基板10上に半導体素子20がフリップチップ実装された半導体装置100であって、基板10の半導体素子20側の面上に直接設けられた金属膜12と、基板10の半導体素子20側の面上に設けられ、基板10よりも熱伝導率が低い誘電体膜14と、誘電体膜14上に設けられた金属膜16と、半導体素子20の動作に伴って発熱する半導体素子20の発熱領域22における半導体素子20の基板10側の面上に設けられ、金属膜12に接触又は接合された金属膜26と、半導体素子20の発熱領域22以外の領域24における半導体素子20の基板10側の面上に設けられ、金属膜16に半田接合された金属膜28と、を備える半導体装置。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2018-08-23 |
| 申请日期 | 2017-02-15 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67984]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 武,関口 茂昭. 半導体装置及び半導体装置の製造方法. JP2018133425A. 2018-08-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。