半導体装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 相原 卓磨; 松尾 慎治; 硴塚 孝明; 長谷部 浩一; 開 達郎 |
| 发表日期 | 2019-01-10 |
| 专利号 | JP2019003973A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザなどの半導体光デバイスの特性およびシリコン光導波路の特性劣化を抑制して両者が光結合できるようにする。 【解決手段】再成長層122をパターニングすることで、光モード変換構造106を形成する(第3工程)。光モード変換構造106は、光導波路の導波方向に延在した状態に形成する。また、光モード変換構造106は、活性層105の先端部105aから離れるほど幅が狭くなる状態に形成し、平面視で導波方向に先細りの形状とする。 【選択図】 図1H |
| 公开日期 | 2019-01-10 |
| 申请日期 | 2017-06-12 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67992]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 相原 卓磨,松尾 慎治,硴塚 孝明,等. 半導体装置およびその製造方法. JP2019003973A. 2019-01-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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