半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 萩元 将人; 柳澤 浩徳; 土屋 朋信 |
| 发表日期 | 2018-10-18 |
| 专利号 | JP2018164069A |
| 著作权人 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】より良好な放熱性を有するサブマウント基板を用いた半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】半導体レーザ装置100は、第一結晶軸(c軸)を法線方向とする第一結晶面(c面)と、前記第一結晶軸よりも熱伝導率が高い第二結晶軸(a軸)を法線方向とする第二結晶面(a面)とを含む結晶構造を有する単結晶のサブマウント基板10と、サブマウント基板10の第一面11側に接合された半導体レーザチップ20と、を備える。第一結晶面はサブマウント基板10の第一面11に対して傾斜している。 【選択図】 図2 |
| 公开日期 | 2018-10-18 |
| 申请日期 | 2017-08-29 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/68005]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 萩元 将人,柳澤 浩徳,土屋 朋信. 半導体レーザ装置. JP2018164069A. 2018-10-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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