半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 中村 亘志 |
| 发表日期 | 2019-04-18 |
| 专利号 | JP2019062033A |
| 著作权人 | パナソニック株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】放熱性に優れるとともに、ワイヤと放熱体との接触による電気的短絡を抑制できる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】半導体レーザ装置1は、レーザ光を出射する発光層11、第1電極12及び第2電極13を有する半導体レーザ素子10と、半導体レーザ素子10の一方側に配置された、導電性材料よりなる第1放熱体20と、半導体レーザ素子10の他方側に配置された、導電性材料よりなる第2放熱体30とを備え、第1放熱体20は、ワイヤ60を介して第1電極12と電気的に接続され、第2放熱体30は、第1放熱体20と対向する面に凹部31を有し、且つ、第2電極13と電気的に接続され、ワイヤ60の屈曲部61は、凹部31に位置する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2019-04-18 |
| 申请日期 | 2017-09-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/68008]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パナソニック株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 亘志. 半導体レーザ装置. JP2019062033A. 2019-04-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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