半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装
文献类型：专利
| 作者 | 吴炫智; 金炳祚; 崔洛俊 |
| 发表日期 | 2018-06-01 |
| 专利号 | CN108110110A |
| 著作权人 | LG伊诺特有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装 |
| 英文摘要 | 公开了一种半导体器件以及包括该半导体器件的半导体器件封装。该器件包括发光结构，其包括：具有铝的第一半导体层；具有铝的第二半导体层；具有铝并且设置在第一和第二半导体层之间的有源层；在第二半导体层中展示的强度范围是在二次离子的第一最小强度和第一最大强度之间；在第一半导体层中展示的强度包括二次离子的第二最小强度，其不同于第一最小强度；在从第二半导体层的表面开始的第一预设距离处，第二半导体层展示出第一最小强度和第一最大强度之间的与第二最小强度对应的二次离子的第一中间强度，第一最大强度出现在从第一预设距离开始的第二预设距离处；第二预设距离(W1)对第一预设距离(W2)的比率是在1:0.2到1:1的范围内。 |
| 公开日期 | 2018-06-01 |
| 申请日期 | 2017-11-24 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/68073]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LG伊诺特有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴炫智,金炳祚,崔洛俊. 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装. CN108110110A. 2018-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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