半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 中西 秀行; 浜田 健; 上田 大介; ▲吉▼川 昭男; 清水 裕一 |
| 发表日期 | 2001-03-16 |
| 专利号 | JP3169917B2 |
| 著作权人 | 松下電子工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 (100)面のシリコン基板に斜面が(111)面により形成される溝を形成し、一方の斜面を半導体レーザチップからの出射光を反射させる反射ミラー面とした場合、シリコン基板主面の垂直方向より傾くのを防ぐとともに、漏れたレーザ光の迷光を正規光より分離させる。 【解決手段】 方向を軸として5〜15°のオフアングルを有する(100)面のシリコン基板10に(111)面により形成される台形状の溝もしくは四角錐台状の凹部を形成し、傾きが45°に近い面を反射ミラー面12とし、この反射ミラー面12に対向する面の上端稜線に対して半導体レーザチップ13の前方端面が平行になるように半導体レーザチップ13を固定する。 |
| 公开日期 | 2001-05-28 |
| 申请日期 | 1990-10-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69116]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電子工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中西 秀行,浜田 健,上田 大介,等. 半導体レーザ装置. JP3169917B2. 2001-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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