半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 中西 秀行; ▲吉▼川 昭男; 浜田 健; 清水 裕一 |
| 发表日期 | 1999-10-08 |
| 专利号 | JP1999274654A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 (100)面のシリコン基板に斜面が(111)面により形成される溝を形成し、一方の斜面を半導体レーザチップからの出射光を反射させる反射ミラー面とした場合、シリコン基板主面の垂直方向より傾くのを防ぐとともに、レーザ出力検出用フォトダイオードの受光効率を高める。 【解決手段】 方向を軸として5〜15°のオフアングルを有する(100)面のシリコン基板20に(111)面により形成される溝を形成し、傾きが45°に近い面を反射ミラー面21とし、この面に対向する側のシリコン基板の主面33の一部を周囲の主面32より低くして凹部を形成し、この反射ミラー面21に対向する面の上端稜線に対して出力面が平行になるように半導体レーザチップ13を固定するとともに、半導体レーザチップ13の後方の段差部にレーザ出力検出用フォトダイオードを形成する。 |
| 公开日期 | 1999-10-08 |
| 申请日期 | 1990-11-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69121]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中西 秀行,▲吉▼川 昭男,浜田 健,等. 半導体レーザ装置. JP1999274654A. 1999-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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