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光素子の製造方法

文献类型:专利

作者浅賀 達也; 渡辺 和昭; 岩野 英明
发表日期1993-01-29
专利号JP1993021815A
著作权人セイコーエプソン株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光素子の製造方法
英文摘要【構成】 光源と光記憶媒体からの信号を受ける光電変換素子を同一パッケージに収めた光素子において、光電変換素子であるフォトダイオード105A、105B、105C、105Dが形成された基板106A、106Bを実装する際、基板106Aは光電変換素子用サブマウント112を介して台座104に実装される。また基板106Bは直接台座104に実装される。 【効果】 光電変換素子が極めて高い位置精度で実装された光素子を低コストで供給できる。
公开日期1993-01-29
申请日期1991-07-10
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69148]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位セイコーエプソン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
浅賀 達也,渡辺 和昭,岩野 英明. 光素子の製造方法. JP1993021815A. 1993-01-29.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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