半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 茂木 伸 |
| 发表日期 | 1995-03-17 |
| 专利号 | JP1995074428A |
| 著作权人 | キヤノン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザの発光量を正確にモニタする。 【構成】 レーザチップ2の背面側に放出される背面光であるレーザ光L2は内部積分球3に導入されて内部反射され、均一な光に変換される。これを、内部積分球3の内部に設けられたフォトディテクタ4によって検出することで、レーザチップ2の発光量をモニタする。背面光であるレーザ光L2の拡散角度の変化によってフォトティテクタ4の出力が変化するおそれはないため、前記発光量を正確にモニタできる。 |
| 公开日期 | 1995-03-17 |
| 申请日期 | 1993-06-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69242]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | キヤノン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 茂木 伸. 半導体レーザ. JP1995074428A. 1995-03-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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