半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ▲高▼山 徹; 内藤 浩樹; 粂 雅博; 伊藤 国雄 |
| 发表日期 | 1994-07-22 |
| 专利号 | JP1994204609A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 容易に作製できる低雑音の半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 半導体基板4の光出射側端面の光出射部3とその近傍を除いた他の領域上に、屈折率が基板結晶より低いアルミナ膜1aと、屈折率がアルミナより高いシリコン膜1bとを積層し形成した。そして、少なくとも光出射部3上にはさらにアルミナ膜1cを選択的に配置した。アルミナ膜1aとシリコン膜1bの膜厚を、レーザ光に対する反射率が3%以下になるように設定した。アルミナ膜1aとシリコン膜1bとを、所定の膜厚に対して約±1nmの範囲で制御することで、単層の誘電体膜を膜厚制御する場合と異なり、高い歩留まりが得られ、結晶表面における戻り光の反射光が光ピックアップに再入射することによるノイズの発生を抑制することができる。 |
| 公开日期 | 1994-07-22 |
| 申请日期 | 1993-10-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69250]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲高▼山 徹,内藤 浩樹,粂 雅博,等. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1994204609A. 1994-07-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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