半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 中西 秀行; 上野 明; 永井 秀男; 吉川 昭男 |
| 发表日期 | 1995-08-11 |
| 专利号 | JP1995211985A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 シリコン基板に発生する不要な光電荷によって信号光の検出や処理が正確に行われないという課題を解決し、入射信号光を正確に、かつ安定して受光または処理することができる半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 シリコン基板11のエッチングによって設けられた凹部平坦面12に設置されている半導体レーザチップ10と、凹部平坦面12を除くシリコン基板11の両側部上面に設けられたそれぞれ信号光検出回路16または信号処理回路17との間にP-N接合よりなる光電荷遮断領域20を設ける。 【効果】 半導体レーザチップから出射される信号検出用のレーザ光以外の光による悪影響から信号光検出回路や信号処理回路を保護することができ、これらの回路を安定して駆動することができる。 |
| 公开日期 | 1995-08-11 |
| 申请日期 | 1994-01-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69259]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中西 秀行,上野 明,永井 秀男,等. 半導体レーザ装置. JP1995211985A. 1995-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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