半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 井島 新一; 中西 秀行 |
| 发表日期 | 1998-07-31 |
| 专利号 | JP1998198999A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 従来の半導体レーザ装置では、半導体レーザ素子からの前方出射光の一部が、前方出射光モニタ用受光素子(モニタ用受光素子)に直接入射されていたので、戻り光や装置内で発生した迷光成分がモニタ用受光素子に入り込み、正確な光量制御を行うことが困難であった。 【解決手段】 本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子1の前方出射光端面の近傍にモニタ用受光素子13が配置され、前方出射光5の一部をモニタ用受光素子に導く手段18を備えた構造のものであり、前記モニタ用受光素子に導く手段18により、戻り光や装置内部に発生した迷光成分がモニタ用受光素子13に入り込むのを防ぐことができる。このため正確な前方出射光5の光量制御を行うことができる。 |
| 公开日期 | 1998-07-31 |
| 申请日期 | 1997-01-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69348]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井島 新一,中西 秀行. 半導体レーザ装置. JP1998198999A. 1998-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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