半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田中 俊明; 百瀬 正之; 比留間 健之 |
| 发表日期 | 2006-02-03 |
| 专利号 | JP3766738B2 |
| 著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】本発明は、共振器端面の破壊現象に制限されない高出力特性を安定に確保できる半導体レーザ素子を提供する。本発明は光情報処理或いは光通信システム用途に有用である。 【解決手段】半導体レーザ装置の共振器の活性層領域端面近傍に対して、禁制帯幅が共振器中央部よりも大きく設定した窓構造を有する。発光活性層の水平方向から不純物拡散を行う。特に、活性層領域を含むストライプ構造の両側より拡散するのが有用である。 |
| 公开日期 | 2006-04-19 |
| 申请日期 | 1997-08-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69369]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 俊明,百瀬 正之,比留間 健之. 半導体レーザ装置の製造方法. JP3766738B2. 2006-02-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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