半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 大島 功 |
| 发表日期 | 1999-04-23 |
| 专利号 | JP1999112106A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ装置において、半導体レーザチップをサブマウントへ搭載する際、半導体レーザチップとサブマウントを固定するための半田層と半導体レーザチップの活性層との接触をなくし、ショートの発生を防ぐ。 【解決手段】 半導体レーザチップ1の共振方向に直交する方向のサブマウント基板21の幅を半導体レーザチップ1の幅よりも狭くし、サブマウント基板21の両側面をそれぞれ半導体レーザチップ1の両側面より内側に位置させる。 |
| 公开日期 | 1999-04-23 |
| 申请日期 | 1997-10-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69373]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大島 功. 半導体レーザ装置. JP1999112106A. 1999-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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