半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 河角 孝行 |
| 发表日期 | 1999-05-21 |
| 专利号 | JP1999135887A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】AlGaInP系の半導体レーザにおける可飽和吸収層のドーパント濃度を、その拡散を抑えつつ、高くして、自励発振を好適に行わせる。 【解決手段】GaInP系の可飽和吸収層7に2種以上のドーパント、例えば、ZnとSeを同時にドープする。 【効果】濃度が高くなると拡散が非常に大きくなるZnの濃度をそれ程高くしなくても済むようになり、また、n型不純物であるSeがp型不純物であるZnの拡散を抑制するので、例えば、Znの活性層4への拡散によるレーザ特性の劣化が低減する。 |
| 公开日期 | 1999-05-21 |
| 申请日期 | 1997-10-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69379]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河角 孝行. 半導体レーザ. JP1999135887A. 1999-05-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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