半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 河角 孝行 |
| 发表日期 | 1999-05-21 |
| 专利号 | JP1999135886A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】AlGaInP系の半導体レーザにおけるp型可飽和吸収層のドーパント濃度を高くして、自励発振を好適に行わせる。 【解決手段】可飽和吸収層7を、GaInP系でなく、AlGaAs系の半導体層で構成し、そこに、Cを高濃度にドープする。 【効果】GaInP系へのZnドープに比較して高濃度ドープが可能となる。また、AlGaAs系におけるCの拡散は、GaInP系におけるZnの拡散と比較して格段に小さいので、高濃度ドープを行っても、そのドーパントの活性層4への拡散によるレーザ特性の劣化が起きない。 |
| 公开日期 | 1999-05-21 |
| 申请日期 | 1997-10-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69380]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河角 孝行. 半導体レーザ. JP1999135886A. 1999-05-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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