半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 関 俊司; 横山 清行 |
| 发表日期 | 1999-05-28 |
| 专利号 | JP1999145550A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 光閉じ込め層および障壁層中での正孔の異常蓄積を抑制し、高温においても、低しきい値電流、高発振効率の高性能半導体レーザを実現する。 【解決手段】 量子井戸層と障壁層とから構成される量子井戸活性層と、該活性層の上側および下側に設けられた第1および第2の光閉じ込め層とからなる半導体レーザにおいて、前記第1および第2の光閉じ込め層の少なくとも一部と前記障壁層の少なくとも一部とを、n型の半導体層より構成する。 |
| 公开日期 | 1999-05-28 |
| 申请日期 | 1997-11-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69381]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 関 俊司,横山 清行. 半導体レーザ. JP1999145550A. 1999-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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