窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 潤; 柴田 直樹; 上村 俊也 |
| 发表日期 | 1999-05-28 |
| 专利号 | JP1999145518A |
| 著作权人 | 豊田合成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】熱処理温度を低減させること。 【解決手段】サファイア基板1上にはAlNから成るバッファ層2,Siドープのn型GaN層3,GaNから成るバリア層41とGa0.8In0.2Nから成る井戸層42とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層4及びp型GaN層5が順次積層形成されている。その後、Co金属薄膜を層5の上に形成して熱処理して層5を低抵抗化し、その金属薄膜を除去した。そして、p型層5上にはCoから成る第1金属層61と,Auから成る第2金属層62との透光性のp電極6と電極パッド7とを順次形成し,n型層3上には,VとAl又はAl合金から成るn電極8を形成した。p型層5上に形成された第1 金属層61は酸化しやすいCoから成り, 酸化したCoは熱処理時にp型層5から水素を引き抜いて還元反応を生じ, 熱処理をO2雰囲気中で行うことで, 還元されたCoが再び酸化されてp 型層5 から水素を引き抜く。このようにして,p型層5のp型化が促進され, 熱処理温度を低減できる。 |
| 公开日期 | 1999-05-28 |
| 申请日期 | 1997-11-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69383]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 潤,柴田 直樹,上村 俊也. 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法. JP1999145518A. 1999-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。