窒化物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 豊田 達憲; 高岡 美和 |
| 发表日期 | 1999-06-02 |
| 专利号 | JP1999150302A |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 効率よく生産することができる電力効率のよい窒化物半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 基板上に発光層を含む1又は2以上の窒化ガリウム系半導体層を介して形成されたp型窒化ガリウム系半導体層と、透光性を有しかつp型窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する第1正電極と、第1正電極上の一部に形成された第2正電極とを備えた窒化物半導体発光素子であって、第2正電極は、W、Mo、Cr、Ti及びNiからなる群から選ばれた少なくとも1つを主成分として第1正電極に接するように形成された第1層と、該第1層上に形成されたAu又はPtを主成分として形成された第2層とを含む積層体が熱処理されてなり、第2正電極の直下の発光層における発光を抑制した。 |
| 公开日期 | 1999-06-02 |
| 申请日期 | 1997-11-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69384]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 豊田 達憲,高岡 美和. 窒化物半導体発光素子. JP1999150302A. 1999-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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