分布帰還型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 佐藤 健二 |
| 发表日期 | 1999-06-18 |
| 专利号 | JP1999163455A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、本発明は、レーザ共振器の軸方向の電界強度分布を均一にすることにより、バイアス電流が変化した場合であっても前方後方出力比が変動することなく、システム上で光出力をモニターし易い半導体レーザを提供することを目的とする。 【解決手段】 回折格子により光帰還を行う分布帰還型半導体レーザ10において、この回折格子が、複数の格子領域(11〜18)に分けられ、レーザ共振器の中央で1次の回折格子の半周期分だけ位相がシフトし、レーザ共振器の端面側に設けられた格子領域より、中心方向に設けられた格子領域の回折格子の次数が高くなるように形成されていることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。 |
| 公开日期 | 1999-06-18 |
| 申请日期 | 1997-11-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69387]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐藤 健二. 分布帰還型半導体レーザ. JP1999163455A. 1999-06-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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