光半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐々木 善浩 |
| 发表日期 | 1999-06-18 |
| 专利号 | JP1999163465A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 回折格子をその内部に備える光半導体素子において端面での回折格子の位相を制御する。 【解決手段】 劈開されて光半導体素子が複数形成されるウェハ1に、その横幅寸法の調整によって光半導体素子の端面での前記回折格子の位相が決定される劈開用V溝102を備えた。 |
| 公开日期 | 1999-06-18 |
| 申请日期 | 1997-11-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69390]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 善浩. 光半導体素子及びその製造方法. JP1999163465A. 1999-06-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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