半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 永井 豊; 多田 仁史 |
| 发表日期 | 1999-06-18 |
| 专利号 | JP1999163468A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窓部の長さ寸法を設計寸法に精度良く仕上げ、半導体レーザの品質および性能のばらつきを抑える。 【解決手段】 半導体レーザ30の製造工程において、半導体レーザ30の劈開面11にドライエッチング処理を施す。この処理を制御することによって、窓部33の長さ寸法を所要の寸法に仕上げる。 |
| 公开日期 | 1999-06-18 |
| 申请日期 | 1997-12-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69393]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 永井 豊,多田 仁史. 半導体レーザの製造方法. JP1999163468A. 1999-06-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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