半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 谷 健太郎; 菅 康夫 |
| 发表日期 | 2003-08-22 |
| 专利号 | JP3464917B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 簡単な構成で2波長レーザを得る。 【解決手段】 発振波長が異なる複数の半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置であって、前記半導体レーザ素子が、それぞれ、マウント台の隣接した辺に配置されて、発光点間隔が200μm以下であることにより、前記課題を解決する。 |
| 公开日期 | 2003-11-10 |
| 申请日期 | 1998-07-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69423]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谷 健太郎,菅 康夫. 半導体レーザ装置の製造方法. JP3464917B2. 2003-08-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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