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光半導体装置

文献类型:专利

作者国井 秀雄; 高田 清; 井野口 浩; 石川 勉; 小堀 浩; 関口 智; 瀬山 浩樹
发表日期2000-02-02
专利号JP2000036642A
著作权人SANYO ELECTRIC CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体装置
英文摘要【課題】 発光素子や受光素子の外形をできる限り薄くし、これを組み込んだモジュールやセットに於いても小型化を可能とする。 【解決手段】 受光素子として半導体チップ24があり、これらを封止する樹脂封止体25は、光に対して透明となる材料で成る。また光が素子に入射される領域上には、溝27が形成され、ここに反射面26を構成する。その結果光は側面Eを介して、射出·入射が可能となる。また側面Sの如く、曲率の調整で、焦点Fを反射面の右側、左側に配置するように調整し、反射面と半導体チップの距離を調整することで、側面Sに入る光の光束を絞り込むことができる。
公开日期2000-02-02
申请日期1998-07-31
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69424]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SANYO ELECTRIC CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
国井 秀雄,高田 清,井野口 浩,等. 光半導体装置. JP2000036642A. 2000-02-02.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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