光半導体装置
文献类型:专利
作者 | 国井 秀雄; 高田 清; 井野口 浩; 石川 勉; 小堀 浩; 関口 智; 瀬山 浩樹 |
发表日期 | 2000-02-02 |
专利号 | JP2000036642A |
著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 光半導体装置 |
英文摘要 | 【課題】 発光素子や受光素子の外形をできる限り薄くし、これを組み込んだモジュールやセットに於いても小型化を可能とする。 【解決手段】 受光素子として半導体チップ24があり、これらを封止する樹脂封止体25は、光に対して透明となる材料で成る。また光が素子に入射される領域上には、溝27が形成され、ここに反射面26を構成する。その結果光は側面Eを介して、射出·入射が可能となる。また側面Sの如く、曲率の調整で、焦点Fを反射面の右側、左側に配置するように調整し、反射面と半導体チップの距離を調整することで、側面Sに入る光の光束を絞り込むことができる。 |
公开日期 | 2000-02-02 |
申请日期 | 1998-07-31 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69424] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 国井 秀雄,高田 清,井野口 浩,等. 光半導体装置. JP2000036642A. 2000-02-02. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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