面発光型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 貴幸; 西川 尚男; 金子 剛 |
| 发表日期 | 2000-03-03 |
| 专利号 | JP2000067449A |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ出力を増したとしても、レーザ光の放射角を小さく設定することを可能とする面発光型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 本発明の面発光型半導体レーザ100は、半導体基板上に垂直方向の共振器を有し、共振器より半導体基板に垂直な方向にレーザ光を出射する。共振器を含む半導体堆積体(柱状部)101の表面に、凸レンズ形状を有する出射部111が形成されている。この面発光型半導体レーザ100は、以下の工程を含む製造方法によって製造される。 (a)半導体基板上に、前記柱状部101を形成する工程、(b)柱状部101の表面の所定領域が露出した状態で、共振器に電流を注入するための電極(上部電極)106を形成する工程、(c)上部電極106の表面に、撥液処理を施す工程、(d)硬化させると出射部111を構成し、かつ、撥液膜によってはじかれる液状物を、露出した柱状部101の表面に位置させる工程、および(e)液状物を硬化させて、出射部111を形成する工程。 |
| 公开日期 | 2000-03-03 |
| 申请日期 | 1998-08-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69425]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 貴幸,西川 尚男,金子 剛. 面発光型半導体レーザおよびその製造方法. JP2000067449A. 2000-03-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。