光半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田嶋 尚之; 君島 進 |
| 发表日期 | 2000-03-31 |
| 专利号 | JP2000091693A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】発光素子からの前方出射光の損失を回避するとともに、製造工程を簡易化にし、かつ、小型化を図ることができる光半導体装置を提供すること。 【解決手段】第1のシリコン基板30には、表面32に対し平行で、かつ、互いに異なる方向への第1出射光L1及び第2出射光L2を出射するレーザダイオード50と、第2出射光L2を表面32に対し第2のシリコン基板40側に反射させる第1マイクロミラー35bと、その裏面33側に信号検出用フォトダイオード60とが設けられ、第2のシリコン基板40には、第1出射光L1を第1のシリコン基板30の裏面33側に反射させる第2マイクロミラー44aと、第1マイクロミラー35bで反射した後方出射光L2が入射する位置に配置された出力検出用フォトダイオード70とを備えるようにした。 |
| 公开日期 | 2000-03-31 |
| 申请日期 | 1998-09-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69428]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田嶋 尚之,君島 進. 光半導体装置及びその製造方法. JP2000091693A. 2000-03-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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