半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 市川 英樹 |
| 发表日期 | 2003-08-22 |
| 专利号 | JP3464921B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 2チップレーザにおいては、レーザチップのチャンネル位置をチップの端にずらしているため、サブマウント(ヒートシンク)への放熱性が悪くなり、その結果レーザチップのエージング寿命が短くなるという欠点がある。 【解決手段】 異なる波長を有する複数のレーザチップを1パッケージに搭載する際、双方のレーザチップから出射されるレーザ光を、ミラーを用いて反射させて、両反射光の光軸をほぼ平行に保ってなることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2003-11-10 |
| 申请日期 | 1998-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69429]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 市川 英樹. 半導体レーザ装置の製造方法. JP3464921B2. 2003-08-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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