半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 塩本 武弘 |
| 发表日期 | 2000-08-11 |
| 专利号 | JP2000223791A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 1つの光ピックアップから2種類の波長の光を発射することを可能にし、これによって、省スペースで光学系の設計も簡単としつつ、2種類の光ディスクに対する読取および書込を可能とする。 【解決手段】 発光波長および温度依存性の異なる2つの半導体レーザ素子30、40をステム11上に積層した半導体レーザ装置。2つのレーザ素子のうち温度依存性が大きい方30をステム側に配置し、その上に温度依存性の小さい方40を積層している。両レーザチップ間の各発光点の間隔は、160マイクロメートル以下であることが好ましい。 |
| 公开日期 | 2000-08-11 |
| 申请日期 | 1999-02-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69452]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 塩本 武弘. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2000223791A. 2000-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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