半導体発光装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 御友 重吾; 岡野 展賢; 成井 啓修 |
| 发表日期 | 2001-09-07 |
| 专利号 | JP2001244573A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】高い信頼性を有する、複数個の半導体発光素子を有する半導体発光装置の製造方法を提供する。 【解決手段】基板30上に、第1半導体発光素子形成領域を開口し、第2半導体発光素子形成領域を保護するマスク層MSを形成し、マスク層をマスクとするエピタキシャル成長法により第1半導体発光素子形成領域において選択的に少なくとも第1クラッド層32、第1活性層33および第2クラッド層34を積層させた第1積層体を形成し、マスク層を除去する。次に、エピタキシャル成長法により少なくとも第3クラッド層37、第2活性層38および第4クラッド層39を積層させた第2積層体を形成する。次に、第2半導体発光素子形成領域の第2積層体を残して、他の領域の第2積層体を除去する。 |
| 公开日期 | 2001-09-07 |
| 申请日期 | 2000-02-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69499]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 御友 重吾,岡野 展賢,成井 啓修. 半導体発光装置の製造方法. JP2001244573A. 2001-09-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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