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半導体レーザ加熱装置

文献类型:专利

作者山根 茂樹; 竹中 義彰; 長安 同慶
发表日期2001-09-18
专利号JP2001252776A
著作权人松下電器産業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ加熱装置
英文摘要【課題】 レーザ光を直接ワークに照射する方式で半導体レーザ部の破損を防止し、再現性のある安定した良好な接合、溶接の半導体レーザ加熱装置を実現する【解決手段】 電源部1、半導体レーザ部2、レンズ部3で構成されており、照射レーザ光4はワーク5に対し法線から角度θ°に傾け取り付けてある。半導体レーザ部2から照射レーザ光4はワーク5に対し角度θ斜めに照射するため、反射光は半導体レーザ部2に戻ることは無い。したがって、反射光による半導体レーザ部の破損を防止することができる。
公开日期2001-09-18
申请日期2000-03-09
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69503]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電器産業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
山根 茂樹,竹中 義彰,長安 同慶. 半導体レーザ加熱装置. JP2001252776A. 2001-09-18.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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