半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中島 博; 橋本 茂樹; 朝妻 庸紀 |
| 发表日期 | 2001-12-14 |
| 专利号 | JP2001345520A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】インジウムを含む層の上層にインジウムが取り込まれるのを防止し、インジウムを含む層の上層の結晶性を向上させ、高品質な窒化物系III-V族化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】窒素を含有するIII-V族化合物半導体層を結晶成長させて形成する工程を有する半導体発光素子の製造方法であって、第1の温度でインジウムおよび窒素を含むIII-V族化合物半導体である第1半導体層(16)を成長させ、次に、第1半導体層(16)の上方に、第2の温度でAlxGa1-xN(ただし、0≦x≦1)からなる第2半導体層(18)を成長させ、ここで、第2の温度は、第1の温度よりも高く、第2半導体層(18)中にインジウムが取り込まれるのを防止する温度とする。 |
| 公开日期 | 2001-12-14 |
| 申请日期 | 2000-06-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69538]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中島 博,橋本 茂樹,朝妻 庸紀. 半導体発光素子の製造方法. JP2001345520A. 2001-12-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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