半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 大森 誠也; 成沢 秀継 |
| 发表日期 | 2002-02-22 |
| 专利号 | JP2002057407A |
| 著作权人 | FUJI XEROX CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザからの出射光束をアパーチャーで制限する光学ユニットにおいて光量透過ロスを防ぐことができる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n形電極12上にn型GaAlAsバッファ層14、n形GaAs基板16、n形GaAlAsクラッド層18、GaAs活性層20(発光領域)が形成されている。GaAs活性層20上にはp形GaAlAsクラッド層22が形成され、その中央部にはストライプ部が形成されている。ストライプ部上にはp型キャップ層23が形成され、ストライプ部以外の部分の上にはn形AlGaAs埋め込み層24が形成されている。p型キャップ層23上にはp形電極26が形成されている。ストライプ部の中心cから左右に距離b離れた位置にはトレンチ28が形成されている。距離bはレーザ光の光量が平均光量の2%となる位置に設定されている。トレンチ28には誘電膜30が形成されている。 |
| 公开日期 | 2002-02-22 |
| 申请日期 | 2000-08-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69560]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI XEROX CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大森 誠也,成沢 秀継. 半導体レーザ. JP2002057407A. 2002-02-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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