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半導体レーザパワー制御装置

文献类型:专利

作者上岡 優一; 井口 睦; 宮端 佳之; 小石 健二
发表日期2002-05-24
专利号JP2002151788A
著作权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザパワー制御装置
英文摘要【課題】 半導体レーザのパワー制御は、パワー検出用フォトディテクタによりパワー値をモニターしながら制御するが、光ディスクの高速記録化が進むにつれてパワー検出用フォトディテクタの周波数応答の制限により記録中の発光波形の波高値を100%の検出効率で検出することは不可能となってきた。 【解決手段】 上記課題解決の為に本発明では、長いパルス幅で発光させた時の波高値と、実記録に用いる波高知からパワー検出用フォトディテクタの検出効率を演算し、演算結果を基に半導体レーザのパワー制御を行う。
公开日期2002-05-24
申请日期2000-11-16
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69587]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
上岡 優一,井口 睦,宮端 佳之,等. 半導体レーザパワー制御装置. JP2002151788A. 2002-05-24.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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