半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 小泉 秀史 |
| 发表日期 | 2002-06-07 |
| 专利号 | JP2002164613A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】LDを保護することができ、LDの組み込み工程や、LDの扱いを容易にする半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】通常状態では、nチャネルFET2がオンであり、LD1のアノードとカソードがFET2を通じて実質的に短絡されている。このため、静電気が端子3に加わっても、この静電気の殆どがFET2に流れる。これにより、LED1が静電気から保護される。LD1を発光駆動するときには、FET2のゲートに接続されている端子4に制御電圧(負電位)を印加して、FET2をオフにする。この状態では、駆動電流を端子3に供給すると、この駆動電流がLD1に流れ、LD1が発光する。 |
| 公开日期 | 2002-06-07 |
| 申请日期 | 2000-11-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69589]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小泉 秀史. 半導体レーザ装置. JP2002164613A. 2002-06-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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