半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 菅原 岳; 木戸口 勲; 宮永 良子; 鈴木 政勝; 粂 雅博; 伴 雄三郎; 平山 福一 |
| 发表日期 | 2002-10-18 |
| 专利号 | JP2002305348A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子の高出力化又は短波長化に対応できる端面反射膜を得られるようにする。 【解決手段】 半導体レーザ素子10には、窒化ガリウムからなる障壁層と窒化インジウムガリウムからなる井戸層とにより構成される量子井戸活性層11が少なくともn型とp型の各窒化アルミニウムガリウムからなる光ガイド層に上下方向から挟まれてなる共振器12が形成されている。共振器12におけるレーザ光100の出射端面10aと反対側の反射端面10bには端面反射膜13が設けられている。端面反射膜13は、共振器12の端面側から順次成膜された酸化シリコンからなる低屈折率膜13aと酸化ニオブからなる高屈折率膜13bとにより構成される単位反射膜130を複数含むように構成されている。 |
| 公开日期 | 2002-10-18 |
| 申请日期 | 2000-11-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69591]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅原 岳,木戸口 勲,宮永 良子,等. 半導体レーザ素子. JP2002305348A. 2002-10-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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