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半導体レーザ素子およびその製造方法

文献类型:专利

作者矢吹 義文
发表日期2002-06-07
专利号JP2002164600A
著作权人SONY CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ素子およびその製造方法
英文摘要【課題】 歩留りを向上させると共に、本来的なレーザ特性を発揮することが可能となる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板11の分離位置101にエッチングを施し、幅が20μm以下の分離溝102Aを形成する。次いで、この基板11の上にローラ206を転動させると、基板11は分離溝102Aを基点として容易に分割され、その分離面102Bは平坦面となる。幅が狭い分離溝102Aはエッチングにより簡便に、高い精度で形成され、また、基板11は分離位置101において分離溝102Aの幅ほどの精度で分離されるために、分離位置101の精度が従来よりも飛躍的に向上する。
公开日期2002-06-07
申请日期2000-11-28
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69592]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SONY CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
矢吹 義文. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2002164600A. 2002-06-07.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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