窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置
文献类型：专利
| 作者 | 津田 有三; 湯浅 貴之; 伊藤 茂稔; 種谷 元隆; 山崎 幸生 |
| 发表日期 | 2002-08-02 |
| 专利号 | JP2002217498A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物半導体発光素子の発光寿命を改善する。 【解決手段】 窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体基板の1主面に形成された溝と丘を含む加工基板101と、この加工基板の溝と丘を覆う窒化物半導体下地層102と、この窒化物半導体下地層上でn型層103〜105とp型層107〜110との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層を含む発光層106を含む発光素子構造とを含み、溝の幅方向の中央から1μm以上離れかつ丘の幅方向の中央からも1μm以上離れた領域の上方に多層発光構造の電流狭窄部が形成されていることを特徴としている。 |
| 公开日期 | 2002-08-02 |
| 申请日期 | 2001-01-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69601]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 津田 有三,湯浅 貴之,伊藤 茂稔,等. 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置. JP2002217498A. 2002-08-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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