半導体レーザ装置の実装方法
文献类型：专利
| 作者 | 持田 篤一; 井ノ上 裕人; 中尾 克; 岩田 進裕; 高森 晃; 足立 秀人; 田村 雅敏 |
| 发表日期 | 2002-08-02 |
| 专利号 | JP2002217480A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の実装方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子の温度上昇及び残留応力によるレーザ特性の劣化、或いは半導体レーザ素子の破損を抑制する半導体レーザ装置の実装方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の実装方法は、半導体レーザ素子をサブマウントに加熱圧接した後、接合部材の溶融温度以上まで再度加熱するものである。 |
| 公开日期 | 2002-08-02 |
| 申请日期 | 2001-01-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69602]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 持田 篤一,井ノ上 裕人,中尾 克,等. 半導体レーザ装置の実装方法. JP2002217480A. 2002-08-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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