半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田尻 敦志 |
| 发表日期 | 2002-08-16 |
| 专利号 | JP2002232078A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 ピットの検出の際の分解能が高くピット情報の解像度が良好でありS/Nの向上を図ることが可能な複数の発光点を有する半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することである。 【解決手段】 半導体レーザ素子100は、n-GaN基板1の一方の面上に第1の半導体レーザ素子10が形成され、n-GaN基板1の他方の面に第2の半導体レーザ素子20が形成されてなる。第1および第2の半導体レーザ素子10,20は、n-クラッド層11,21、MQW活性層12,22、p-クラッド層13,23、電流ブロック層14,24およびp-コンタクト層15,25が順に積層されてなる。第1および第2の半導体レーザ素子10,20のMQW活性層12,22に形成される発光点17,27は、MQW活性層12,22に平行な方向に長軸を有しかつ垂直な方向に短軸を有する楕円形状を有する。 |
| 公开日期 | 2002-08-16 |
| 申请日期 | 2001-02-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69613]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田尻 敦志. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2002232078A. 2002-08-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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