半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 福永 敏明 |
| 发表日期 | 2002-08-23 |
| 专利号 | JP2002237648A |
| 著作权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 InGaAlN系の材料からなる半導体レーザ素子において、低出力から高出力まで、高信頼性でかつ高品質なガウス型のレーザ光を得る。 【解決手段】 GaN層8上に、n-GaNコンタクト層9、n-Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層10、n-Ga1-z2Alz2N光導波層11、Inx2Ga1-x2N(Si-ドープ)/Inx1Ga1-x1N多重量子井戸活性層12、p-Ga1-z3Alz3Nキャリアブロッキング層13、p-Ga1-z2Alz2N光導波層14、p-Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層15およびp-GaNコンタクト層16を形成してなる共振器端面に、SiN膜を1nm程度形成する。その後、SiO2/TiO2の誘電体多層膜からなる高反射率コートおよびSiO2からなる低反射コートを行う。SiN膜を共振器端面に接して形成することにより、非発光再結合中心を低減でき、経時信頼性を向上できる。 |
| 公开日期 | 2002-08-23 |
| 申请日期 | 2001-02-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69619]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福永 敏明. 半導体レーザ素子. JP2002237648A. 2002-08-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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