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半導体レーザ装置及びその製造方法

文献类型:专利

作者市川 英樹; 藤吉 幹
发表日期2002-10-11
专利号JP2002299749A
著作权人SHARP CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置及びその製造方法
英文摘要【課題】ヘッダー部におけるサイドビームの反射が光ピックアップの諸特性に悪影響を及ぼすといったことのない、しかも生産性に優れた半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】レーザビームLを出射するレーザチップ2が載置されたサブマウント3の前面31、又はレーザチップ2の出射端面21、或いはサブマウント3の前面31とレーザチップ2の出射端面21の両方に跨がる領域に、反射±1次ビームより生じ光学系を経て帰還する2つのサイドビームLs1,Ls2のうちサブマウント3側に向かって帰還するサイドビームLs2を光学系外に向けて反射するインクジェット用インク4を塗布した。
公开日期2002-10-11
申请日期2001-04-03
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69636]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SHARP CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
市川 英樹,藤吉 幹. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2002299749A. 2002-10-11.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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