半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 塩本 武弘; 本多 正行 |
| 发表日期 | 2002-10-25 |
| 专利号 | JP2002314185A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】ヘッダー部におけるサイドビームの反射が光ピックアップの諸特性に悪影響を及ぼすといったことのない、しかも生産性に優れた半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】レーザビームLを出射するレーザチップ4が載置されたヘッダー部3の先端面32であって、反射±1次ビームより生じ光学系を経て帰還する2つのサイドビームLS1,LS2のうちヘッダー部3に向かって帰還するサイドビームLS2が入射してくるサイドビーム入射領域35に、該サイドビームLS2を光学系外に向けて反射する反射体7を取り付た。 |
| 公开日期 | 2002-10-25 |
| 申请日期 | 2001-04-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69638]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 塩本 武弘,本多 正行. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2002314185A. 2002-10-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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