半導体レーザアレイ
文献类型:专利
作者 | 宮島 博文; 菅 博文; 内山 貴之; 大石 諭 |
发表日期 | 2002-11-22 |
专利号 | JP2002335046A |
著作权人 | HAMAMATSU PHOTONICS KK |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザアレイ |
英文摘要 | 【課題】 所望の光強度分布を有するレーザ光を得ることが可能な半導体レーザアレイを提供する。 【解決手段】 このLDバーは、複数の半導体レーザ素子LDを一次元状に配列してなる半導体レーザアレイにおいて、半導体レーザ素子LDのうちの発光可能なものの密度が、中央部よりも両端部の方が高い。半導体レーザ素子LDの配列方向に沿った半導体レーザアレイから出射されるレーザ光パターンの強度分布は、中央部よりも両端部の方が高くなる。パターン両端部の強度を中央部よりも相対的に高くすることで、レーザ光が被加工物上に照射された場合の中央部の相対的過加熱を抑制することができる。 |
公开日期 | 2002-11-22 |
申请日期 | 2001-05-10 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69647] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | HAMAMATSU PHOTONICS KK |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮島 博文,菅 博文,内山 貴之,等. 半導体レーザアレイ. JP2002335046A. 2002-11-22. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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