半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 尾崎 孝; 永嶋 憲二 |
| 发表日期 | 2002-12-06 |
| 专利号 | JP2002353552A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 低出力域及び高出力域の双方で、並びに低出力域から高出力域への移行域で、レーザ出力対モニタPDの出力電流特性が線型の半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 本レーザカプラ10は、PDIC12と、PDIC上に集積された半導体レーザ素子14及びPinPD16と、半導体レーザ素子の出射方向前方でPDIC上に設けられ、半導体レーザ素子のレーザ光の光出力を検出して出力制御用の信号を出力するモニタPD18とを有する。モニタPDの受光面の平面パターンは、高出力時のレーザ光の放射角Θpall2 と同じ角度を成す2個の側辺で区画された台形形状になっている。放射角(Θpall)は、低出力時に広く、高出力時に狭くなるので、このような台形形状の受光面パターンを有するモニタPDは、低出力時には、半導体レーザ素子のレーザ光の一部を受光することができない。従って、半導体レーザ素子とモニタPDのカップリング(F1 )が小さくなる一方、F2 は一定であるので、ImL=1に調整することができる。 |
| 公开日期 | 2002-12-06 |
| 申请日期 | 2001-05-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69650]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尾崎 孝,永嶋 憲二. 半導体レーザ装置. JP2002353552A. 2002-12-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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