半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 矢島 浩義; 山中 圭一郎; 加藤 真; 石橋 明彦 |
| 发表日期 | 2003-02-14 |
| 专利号 | JP2003046177A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザスクライブ法におけるクラックやチッピング等の欠陥の発生が抑制され、化合物半導体積層物の特性を変化させずに、良好な劈開面である光共振器を得て、ひいては製品歩留を向上せしめた、半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 超短パルスレーザ光31は、酸化物単結晶基板1とストライプ状の発光領域を有する化合物半導体積層物10からなる積層体基板に対して、化合物半導体積層物10側からストライプと垂直な方向に照射される。超短パルスレーザ光31の波長は、化合物半導体積層物10および酸化物単結晶基板1に対して透明な波長である。これにより入射面あるいは入射面とは反対面にスクライブ32、34を行ない、その後図示はしないが劈開することにより、クラックやチッピング等の欠陥がなく、かつ化合物半導体積層物の特性変化がない、半導体レーザ素子が得られる。 |
| 公开日期 | 2003-02-14 |
| 申请日期 | 2001-07-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69658]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 矢島 浩義,山中 圭一郎,加藤 真,等. 半導体レーザの製造方法. JP2003046177A. 2003-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。