半導体レーザおよびその製造方法
文献类型:专利
| 作者 | 汐先 政貴; 平田 照二 |
| 发表日期 | 2003-02-28 |
| 专利号 | JP2003060303A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】戻り光ノイズに強く、非点隔差を良好に補正、あるいは少なくでき、動作電流を低減でき、しかも高温出力時においても安定に発振する半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】自励発振型半導体レーザ100において、ストライプ部107の中央の導波路ストライプ幅は一定であり、ストライプ部107の中央部(共振器中央部)でリッジ間凹部幅(リッジ分離幅)W2を、狭く設定し、端面側付近のリッジ分離幅W2’を中央部のリッジ分離幅W2より広く設定し、ストライプ部107のリッジ底部、および両側部のサイドウォールリッジ部108a,108bの底部に、製造時にはチャネルストッパとして機能する光ガイド層109a~109cを選択的に形成する。 |
| 公开日期 | 2003-02-28 |
| 申请日期 | 2001-08-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69662] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汐先 政貴,平田 照二. 半導体レーザおよびその製造方法. JP2003060303A. 2003-02-28. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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