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半導体レーザおよびその製造方法

文献类型:专利

作者汐先 政貴; 平田 照二
发表日期2003-02-28
专利号JP2003060303A
著作权人SONY CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザおよびその製造方法
英文摘要【課題】戻り光ノイズに強く、非点隔差を良好に補正、あるいは少なくでき、動作電流を低減でき、しかも高温出力時においても安定に発振する半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】自励発振型半導体レーザ100において、ストライプ部107の中央の導波路ストライプ幅は一定であり、ストライプ部107の中央部(共振器中央部)でリッジ間凹部幅(リッジ分離幅)W2を、狭く設定し、端面側付近のリッジ分離幅W2’を中央部のリッジ分離幅W2より広く設定し、ストライプ部107のリッジ底部、および両側部のサイドウォールリッジ部108a,108bの底部に、製造時にはチャネルストッパとして機能する光ガイド層109a~109cを選択的に形成する。
公开日期2003-02-28
申请日期2001-08-17
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69662]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SONY CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
汐先 政貴,平田 照二. 半導体レーザおよびその製造方法. JP2003060303A. 2003-02-28.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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